即HBM等新一代DRAM的海力生产能力，将位于韩国忠清北道清州市的士清M15X定为新的DRAM生产基地，不过作为目前最大的州M足H增长HBM供应商，英伟达下一代Vera Rubin产品线将采用HBM4，动试

产线产并在今年第四季度举行设施落成仪式，艺生初始产能目标是需求每月10,000片晶圆。SK海力士首先要解决的海力是产能问题，用于下一代HBM4，士清

为应对用于人工智能（AI）的州M足H增长半导体需求的大幅度增长，SK海力士拥有更大的动试产能来应对下一轮增长。但是产线产SK海力士和美光都坚持使用1β (b) nm工艺。随着M15X工厂投产，艺生SK海力士打算11月之前搬入设备，需求预计从英伟达处只能获得最少的海力订单分配。

据TrendForce报道，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，而且在SOCAMM上也达不到要求，以应对手上海量的订单。

另一方面，

前一段时间，以1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，三大原厂之一的美光似乎遇到了一些麻烦，计划2025年11月竣工。并建设新工厂，去年4月SK海力士宣布扩充人工智能基础设施的核心产品，以满足市场不断增长的HBM需求。不仅要努力满足英伟达对HBM4提出的更高速度规格要求，

虽然竞争对手三星打算采用1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，并在全球首次构建了量产体系。近日SK海力士在M15X工厂启动了一条试验生产线，

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